Les objectifs techniques d'ELEGaNT sont :

• de démontrer la croissance épitaxiale épaisse de couches de nitrure de gallium sur substrat de silicium (GaN-sur-silicium) avec une haute qualité cristalline
• de démontrer la fabrication de dispositifs de puissance verticaux capables de résister à des tensions élevées (typiquement >1200V) avec de faibles Ron spécifique

Au niveau scientifique, ELEGaNT vise à accroître les connaissances scientifiques en termes de procédés d'hétéro-épitaxie, d'ingénierie, de caractérisation et de physique des dispositifs de transistors verticaux à base de nitrure de gallium. Des dispositifs GaN sur GaN de haute qualité existent déjà, et donc l’objectif de ce projet est d’obtenir les mêmes performances que le GaN sur GaN, mais à faible coût avec du GaN sur des substrats de silicium.