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GaN

Gan4Reliability

Soumis par Hakim Ferria le sam, 12/16/2023 - 17:17
Tags: 
COMPOSANTS DE PUISSANCE
GaN
TRANSISTOR
Coordinateur: 
ST MICROELECTRONICS

Ce projet ambitionne de développer des composants de puissance innovants en GaN. Le laboratoire Ampère sera un appui en termes de simulations et de caractérisations. Il s'agit d'étudier la fiabilité et la robustesse des transistors latéraux et verticaux GaN, en utilisant les méthodes de caractérisation avancées électriques (Surge, Court-circuit) et physiques (OBIC, Raman, DLTS) pour identifier et localiser les pièges permettant de renseigner des modèles de simulation (TCAD).

Ce projet a été financé par l’État dans le cadre de France 2030.

Enjeu: 
Energie pour un développement Durable
Financement: 
FRANCE 2030
Dates projet: 
2023-01-01 00:00:00 - 2027-01-01 00:00:00
Montant global du projet: 
470000
Contact: 
Dominique PLANSON, Pierre BROSSELARD
Chapo: 
L’objectif est de montrer l’impact des défauts structurels au matériau sur la fiabilité des composants en GaN ainsi que de modéliser ces défauts sous TCAD afin d’avoir un retour sur la conception des composants, d’en tenir compte sur les prochaines générations de composants et de fixer des critères de sélection du matériau.

ELEGANT

Soumis par jsapiega le jeu, 06/15/2023 - 15:33
Tags: 
ELECTRONIQUE DE PUISSANCE
GaN
Epitaxie localisée pour transistor gan vertical
Coordinateur: 
CEA
Responsable INSA: 
Camille SONNEVILLE

Les objectifs techniques d'ELEGaNT sont :

Enjeu: 
Energie pour un développement Durable
Partenaires: 
CNRS
Financement: 
ANR
Dates projet: 
2023-04-01 00:00:00 - 2026-03-01 00:00:00
Montant global du projet: 
648068
Contact: 
camille.sonneville@insa-lyon.fr
Chapo: 
L'objectif d'ELEGaNT est d'ouvrir la voie à la réalisation de dispositifs verticaux GaN sur Silicum rentables et performants avec une tension de claquage élevée