Soumis par Anonyme (non vérifié) le lun, 01/13/2025 - 11:07
Tags:
ELECTRONIQUE DE PUISSANCE
SEMI-CONDUCTEURS A LARGE BANDE INTERDITE
Caractérisation de composants grand gap pour l'électronique de puissance
Coordinateur:
INSA Lyon
Responsable INSA:
Camille SONNEVILLE
La transition énergétique nécessitera des dispositifs électriques de puissance capables de gérer des tensions et des courants élevés. Bien que le marché actuel des convertisseurs électroniques soit dominé par la technologie à base de silicium, ces dispositifs électroniques présentent des pertes intrinsèques élevées en raison des propriétés physiques limitées du silicium.
Enjeu:
Energie pour un développement Durable
Financement:
ANR
Dates projet:
2024-10-01 00:00:00 - 2028-06-01 00:00:00
Montant global du projet:
253848
Contact:
camille.sonneville@insa-lyon.fr
Chapo:
Les semi-conducteurs à grand gap et ultra-grand gap pour l’électronique de puissance : quels liens entre défauts et performances électriques?
Soumis par Anonyme (non vérifié) le jeu, 06/15/2023 - 15:33
Tags:
ELECTRONIQUE DE PUISSANCE
GaN
Epitaxie localisée pour transistor gan vertical
Coordinateur:
CEA
Responsable INSA:
Camille SONNEVILLE
Les objectifs techniques d'ELEGaNT sont :
Enjeu:
Energie pour un développement Durable
Partenaires:
CNRS
Financement:
ANR
Dates projet:
2023-04-01 00:00:00 - 2026-03-01 00:00:00
Montant global du projet:
648068
Contact:
camille.sonneville@insa-lyon.fr
Chapo:
L'objectif d'ELEGaNT est d'ouvrir la voie à la réalisation de dispositifs verticaux GaN sur Silicum rentables et performants avec une tension de claquage élevée
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