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ELECTRONIQUE DE PUISSANCE

ELEGANT

Soumis par jsapiega le jeu, 06/15/2023 - 15:33
Tags: 
ELECTRONIQUE DE PUISSANCE
GaN
Epitaxie localisée pour transistor gan vertical
Coordinateur: 
CEA
Responsable INSA: 
Camille SONNEVILLE

Les objectifs techniques d'ELEGaNT sont :

Enjeu: 
Energie pour un développement Durable
Partenaires: 
CNRS
Financement: 
ANR
Dates projet: 
2023-04-01 00:00:00 - 2026-03-01 00:00:00
Montant global du projet: 
648068
Contact: 
camille.sonneville@insa-lyon.fr
Chapo: 
L'objectif d'ELEGaNT est d'ouvrir la voie à la réalisation de dispositifs verticaux GaN sur Silicum rentables et performants avec une tension de claquage élevée