L'objectif d'ELEGaNT est d'ouvrir la voie à la réalisation de dispositifs verticaux GaN sur Silicum rentables et performants avec une tension de claquage élevée
Soumis par Anonyme (non vérifié) le lun, 04/25/2022 - 17:24
Antenne pour IoT sur polymère biodégradable pour le stockage et la récupération d'énergie
Coordinateur:
AMPERE - INSA LYON
Responsable INSA:
Michel CABRERA
BioAntenna a pour objectif principal de proposer une solution de remplacement aux piles (ou batteries) utilisées dans les capteurs sans fil et plus largement l’Internet des Objets ou IoT (de l’anglais : Internet of Things). Dans la décennie à venir, il est prévu une omniprésence de ces objets (plusieurs milliards), qui pourrait notamment conduire à la consommation et à la dispersion massive de piles, polluantes et couteuses en ressources pour l’environnement.
Soumis par Anonyme (non vérifié) le ven, 09/24/2021 - 11:24
AUtonomous Self-plugging CARs with CARA and AuRA
Coordinateur:
GULPLUG
Responsable INSA:
Xavier BRUN
Pour un véhicule 100% autonome... en utilisation ET en recharge
L'objectif de ce projet est de réaliser un commutateur électrique afin de pouvoir recharger un véhicule électrique par des sources d'énergie différentes. Le dispositif détecte automatiquement la source connectée et oriente le flux de puissance vers le dispositif de charge. Ce projet associant GULPLUG, NAVYA et l’INSALyon via le laboratoire AMPERE a obtenu un financement public dans le cadre du dispositif « R&D Booster » de la Région Auvergne-Rhône-Alpes.
Enjeu:
Energie pour un développement Durable
Transport : Structures, Infrastructures et Mobilités
Soumis par Anonyme (non vérifié) le jeu, 01/21/2021 - 16:39
Tags:
HIGH POWER COMPONENT
MICRO-RAMAN SPECTROSCOPY
Optical characterization of high power GaN components
Coordinateur:
INSA LYON - LABORATOIRE AMPERE
Responsable INSA:
Camille SONNEVILLE
Wide-Bandgap semiconductors such as silicon carbides (SiC) or Gallium Nitrides (GaN) are particularly interested in power electronic. Indeed Wide-bandgap semiconductors permit devices to operate at much higher voltages, frequencies and temperatures than conventional semiconductor materials like silicon. They will be a foundational technology in new electrical grid and alternative energy devices.
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