INSA Lyon

Tous les dispositifs de puissance en Ga2O3 démontrés jusqu'à présent étaient de nature unipolaire (de type n). Un matériau de type p est fondamentalement nécessaire à la réalisation de dispositifs bipolaires fonctionnant à très haute tension. L'objectif de GOPOWER est d'accélérer le potentiel exceptionnel de Ga2O3 par la démonstration d'épi-couches Ga2O3 de type p de 2 pouces, adaptées à l'intégration dans une structure de redressement de type diode PiN de puissance avec une cible de tension de claquage supérieure à 6,5 kV. Pour atteindre cet objectif, qui représente une percée très importante pour la technologie Ga2O3 actuelle, le consortium international de GOPOWER appliquera une stratégie multi voies basée sur des expertises originales de conception de matériaux (avec calcul ab-initio), de croissance de matériaux oxyde-semi-conducteurs, de caractérisation avancée de matériaux et de composants électroniques et de modélisation de dispositifs.

Visuel: 
Laboratoires: 
Dates projet: 
10/2021 - 04/2025
Financement: 
Contact: 
georges.bremond@insa-lyon.fr
Coordinateur: 
CNRS
Responsable INSA: 
Georges BREMOND
Sous-Titre: 
Accélérateur de l’électronique à haute puissance avec l’oxyde de gallium
Montant global du projet: 
467272' €'
Chapo: 
Le projet GOPOWER concerne les « Sciences fondamentales pour l'énergie ». L’oxyde de gallium ou gallia (Ga2O3) est un matériau semi-conducteur émergent à bande interdite ultra large pour les futurs dispositifs haute puissance (au-delà de 6,5 kV) dédiés aux applications énergétiques telles que le transport électrique et les réseaux intelligents.