Tous les dispositifs de puissance en Ga2O3 démontrés jusqu'à présent étaient de nature unipolaire (de type n). Un matériau de type p est fondamentalement nécessaire à la réalisation de dispositifs bipolaires fonctionnant à très haute tension. L'objectif de GOPOWER est d'accélérer le potentiel exceptionnel de Ga2O3 par la démonstration d'épi-couches Ga2O3 de type p de 2 pouces, adaptées à l'intégration dans une structure de redressement de type diode PiN de puissance avec une cible de tension de claquage supérieure à 6,5 kV. Pour atteindre cet objectif, qui représente une percée très importante pour la technologie Ga2O3 actuelle, le consortium international de GOPOWER appliquera une stratégie multi voies basée sur des expertises originales de conception de matériaux (avec calcul ab-initio), de croissance de matériaux oxyde-semi-conducteurs, de caractérisation avancée de matériaux et de composants électroniques et de modélisation de dispositifs.