INSP INSTITUT DES NANOSCIENCES DE PARIS

GOPOWER

Tags: 
ELECTRONIQUE HAUTE PUISSANCE
SEMI-CONDUCTEUR A BANDE INTERDITE ULTRA LARGE
Accélérateur de l’électronique à haute puissance avec l’oxyde de gallium
Coordinateur: 
CNRS
Responsable INSA: 
Georges BREMOND

Tous les dispositifs de puissance en Ga2O3 démontrés jusqu'à présent étaient de nature unipolaire (de type n). Un matériau de type p est fondamentalement nécessaire à la réalisation de dispositifs bipolaires fonctionnant à très haute tension. L'objectif de GOPOWER est d'accélérer le potentiel exceptionnel de Ga2O3 par la démonstration d'épi-couches Ga2O3 de type p de 2 pouces, adaptées à l'intégration dans une structure de redressement de type diode PiN de puissance avec une cible de tension de claquage supérieure à 6,5 kV.

Enjeu: 
Energie pour un développement Durable
Partenaires: 
INL INSTITUT DES NANOTECHNOLOGIES DE LYON
INSP INSTITUT DES NANOSCIENCES DE PARIS
ICN2 FUNDACIO INSTITUT CATALA DE NANOCIENCIA I NANOTECNOLOGIA
GEMAC
SWANSEA UNIVERSITY
Financement: 
ANR
Dates projet: 
2021-10-01 00:00:00 - 2025-04-01 00:00:00
Montant global du projet: 
467272
Contact: 
georges.bremond@insa-lyon.fr
Chapo: 
Le projet GOPOWER concerne les « Sciences fondamentales pour l'énergie ». L’oxyde de gallium ou gallia (Ga2O3) est un matériau semi-conducteur émergent à bande interdite ultra large pour les futurs dispositifs haute puissance (au-delà de 6,5 kV) dédiés aux applications énergétiques telles que le transport électrique et les réseaux intelligents.