INL

POINTCOM

Tags: 
PHOTONIQUE
SILICIUM
Sources télécoms basées sur les défauts individuels dans le Silicium
Coordinateur: 
INSA LYON
Responsable INSA: 
Thomas WOOD

POINTCOM vise l'intégration des émetteurs de photons dans le silicium, avec comme but d'implémenter des composants photoniques aux fréquences télécoms. Le projet cherchera à démontrer des sources optiques basées sur les défauts atomiques, permettent de contourner le rendement photonique intrinsèquement faible de silicium.

Enjeu: 
Information et Société Numérique
Financement: 
ANR
Dates projet: 
2023-10-01 00:00:00 - 2027-05-01 00:00:00
Montant global du projet: 
332729
Contact: 
thomas.wood@insa-lyon.fr
Chapo: 
Sources lumineuses tout-Silicium pour les réseaux de télécommunications optiques de demain

SPAD

Tags: 
DARK COUNT RATE
SPAD
Single Photon Avalanche Diode
Coordinateur: 
ST MICROELECTRONICS
Responsable INSA: 
Francis CALMON

Le projet vise à étudier, par expériences et simulation, le bruit de photodétecteurs de type photodiode à avalanche à photon unique (SPAD) et de le corréler avec des mécanismes de dégradation et de vieillissement dépendants de l’architecture.

Ce projet a été financé par l’État dans le cadre de France 2030.

Enjeu: 
Energie pour un développement Durable
Financement: 
FRANCE 2030
Dates projet: 
2023-07-01 00:00:00 - 2027-01-01 00:00:00
Montant global du projet: 
299626
Contact: 
francis.calmon@insa-lyon.fr
Chapo: 
Étude du bruit des photodétecteurs SPAD, corrélation avec les mécanismes de dégradation et de vieillissement liés à l'architecture.

ReNeCo

Tags: 
NAS
RESEAUX DE NEURONES
Déploiement des Réseaux Neuronaux Compacts et fiables pour les applications critiques
Coordinateur: 
ST MICROELECTRONICS
Responsable INSA: 
Alberto BOSIO

Le projet vise à développer une méthodologie de génération de Réseaux Neuronaux (NN) compacts pour les déployer sur des microcontrôleurs à faible puissance pour une utilisation dans des applications critiques (espace, automobile). La méthodologie se base sur des approches de recherche d'architecture des réseaux (NAS) afin d'identifier la meilleure architecture NN en termes de complexité (empreinte mémoire, effort de calcul) et de fiabilité.

Ce projet a été financé par l’État dans le cadre de France 2030.

Enjeu: 
Energie pour un développement Durable
Financement: 
FRANCE 2030
Dates projet: 
2023-01-01 00:00:00 - 2027-01-01 00:00:00
Montant global du projet: 
229777
Contact: 
alberto.bosio@ec-lyon.fr
Chapo: 
Méthodologie pour générer des Réseaux Neuronaux compacts sur des microcontrôleurs à faible puissance grâce à des approches de recherche d'architecture des réseaux (NAS).

NCPOCOA

Tags: 
SILICON PHOTONICS
Nouveaux concepts photoniques et optiques pour la perception augmentée
Coordinateur: 
ST MICROELECTRONICS
Responsable INSA: 
Régis OROBTCHOUK

Le projet a pour ambition la conception, la fabrication et la caractérisation de capteurs photoniques pour la perception augmentée dans le domaine de l'automobile autonome. Le projet vise à faire la preuve de concept d’une nouvelle gamme de capteurs photoniques en utilisant des nouveaux concepts de guides d’onde en photonique, en partie brevetés par l'INL.

Ce projet a été financé par l’État dans le cadre de France 2030.

Enjeu: 
Energie pour un développement Durable
Financement: 
FRANCE 2030
Dates projet: 
2023-01-01 00:00:00 - 2027-01-01 00:00:00
Montant global du projet: 
450000
Contact: 
regis.orobtchouk@insa-lyon.fr
Chapo: 
Concevoir, fabriquer et caractériser des capteurs photoniques innovants pour la perception augmentée dans l'automobile autonome, en utilisant des concepts de guides d'onde brevetés par l'INL.

eFerro NVM

Tags: 
FERROELECTRIC MEMORY
NEUROMORPHIC COMPUTING
Embedded Ferroelectric Memories for low-cost NVM arrays and Edge- AI architectures
Coordinateur: 
ST MICROELECTRONICS
Responsable INSA: 
Damien DELERUYELLE

Le projet a pour objectif de réaliser et d’étudier des mémoires embarquées basse consommation à base de films minces ferroélectriques d’oxyde de hafnium. Les dispositifs réalisés pourront être exploités comme mémoires embarquées basse consommation / faible coût ainsi que pour la réalisation d’architectures matérielles bio-inspirées à grande efficacité énergétique pour l’intelligence artificielle embarquée.

Ce projet a été financé par l’État dans le cadre de France 2030.

Enjeu: 
Information et Société Numérique
Financement: 
FRANCE 2030
Dates projet: 
2023-01-01 00:00:00 - 2027-01-01 00:00:00
Montant global du projet: 
299944
Contact: 
damien.deleruyelle@insa-lyon.fr
Chapo: 
Création de mémoires embarquées à faible consommation avec des matériaux ferroélectriques pour l'intelligence artificielle embarquée.

POI

Tags: 
COUCHES MINCES FERROELECTRIQUES
DISPOSITIFS ONDES ACOUSTIQUES DE SURFACE
Piézo On insulator / Retournements de domaines ferroélectriques dans les couches minces monocristallines reportées pour des applications à la téléphonie 5G
Coordinateur: 
SOITEC
Responsable INSA: 
Brice GAUTIER

Le projet a pour objectif d’identifier les étapes technologiques critiques qui aboutissent à l’apparition de défauts dans les couches finales sous la forme de domaines ferroélectriques de polarisation anormale. Des techniques avancées d’observation seront mises en oeuvre et perfectionnées puis combinées à des simulations pour prévoir les configurations en domaines permises par les contributions énergétiques en présence.

Ce projet a été financé par l’État dans le cadre de France 2030.

Enjeu: 
Energie pour un développement Durable
Dates projet: 
2023-01-01 00:00:00 - 2027-01-01 00:00:00
Montant global du projet: 
230000
Contact: 
brice.gautier@insa-lyon.fr
Chapo: 
Le projet vise à identifier les étapes critiques des défauts dans les couches finales monocristallines pour la 5G, grâce à la caractérisation et à la simulation des configurations de domaines ferroélectriques.

SYMPHONIES

Tags: 
CAPTEURS BIOMEDICAUX
ELECTRODES TEXTILES
Solutions numériques en compression
Coordinateur: 
SIGVARIS
Responsable INSA: 
Claudine GEHIN

Le projet porte sur le développement de solutions innovantes en compression textile médicale (manchon de monitoring, capteur de mesure, application informatique de suivi et d'éducation thérapeutique) pour le lymphœdème et d'une plateforme digitale dédiée à l'amélioration de la qualité de vie des patients atteints de lymphœdème.

Ce projet a été financé par le gouvernement dans le cadre de France 2030.
 

Enjeu: 
Santé Globale et Bioingénierie
Partenaires: 
École Nationale Supérieure des Arts et Industries Textiles
INSTITUT FRANCAIS DU TEXTILE ET DE L'HABILLEMENT
HEALABS
ECOLE DES MINES DE SAINT-ETIENNE
Financement: 
FRANCE 2030
Dates projet: 
2022-01-01 00:00:00 - 2026-01-01 00:00:00
Montant global du projet: 
10700000
Contact: 
claudine.gehin@insa-lyon.fr
Chapo: 
Développement de solutions innovantes en compression textile médicale (manchon de monitoring, capteur de mesure, application informatique de suivi et d'éducation thérapeutique) pour le lymphoedème et d'une plateforme digitale dédiée à l'amélioration de la qualité de vie des patients atteints de lymphoedème.

GOPOWER

Tags: 
ELECTRONIQUE HAUTE PUISSANCE
SEMI-CONDUCTEUR A BANDE INTERDITE ULTRA LARGE
Accélérateur de l’électronique à haute puissance avec l’oxyde de gallium
Coordinateur: 
CNRS
Responsable INSA: 
Georges BREMOND

Tous les dispositifs de puissance en Ga2O3 démontrés jusqu'à présent étaient de nature unipolaire (de type n). Un matériau de type p est fondamentalement nécessaire à la réalisation de dispositifs bipolaires fonctionnant à très haute tension. L'objectif de GOPOWER est d'accélérer le potentiel exceptionnel de Ga2O3 par la démonstration d'épi-couches Ga2O3 de type p de 2 pouces, adaptées à l'intégration dans une structure de redressement de type diode PiN de puissance avec une cible de tension de claquage supérieure à 6,5 kV.

Enjeu: 
Energie pour un développement Durable
Partenaires: 
INL INSTITUT DES NANOTECHNOLOGIES DE LYON
INSP INSTITUT DES NANOSCIENCES DE PARIS
ICN2 FUNDACIO INSTITUT CATALA DE NANOCIENCIA I NANOTECNOLOGIA
GEMAC
SWANSEA UNIVERSITY
Financement: 
ANR
Dates projet: 
2021-10-01 00:00:00 - 2025-04-01 00:00:00
Montant global du projet: 
467272
Contact: 
georges.bremond@insa-lyon.fr
Chapo: 
Le projet GOPOWER concerne les « Sciences fondamentales pour l'énergie ». L’oxyde de gallium ou gallia (Ga2O3) est un matériau semi-conducteur émergent à bande interdite ultra large pour les futurs dispositifs haute puissance (au-delà de 6,5 kV) dédiés aux applications énergétiques telles que le transport électrique et les réseaux intelligents.

HILIGHT

Tags: 
NANOSTRUCTURES DIELECTRIQUES
SOURCES QUANTIQUES
Nanostructures diélectriques à haut indice pour le contrôle de l’émission et de la propagation de la lumière
Coordinateur: 
CNRS - CEMES
Responsable INSA: 
BRUNO MASENELLI (INL)

Contrôler la lumière en régime quantique par des résonateurs diélectriques.

Enjeu: 
Information et Société Numérique
Partenaires: 
CEA - LETI
INSA TOULOUSE – LPCNO
CNRS – ICB
CNRS – LAAS
INSA LYON - INL
Financement: 
ANR
Dates projet: 
2020-01-01 00:00:00 - 2023-06-01 00:00:00
Montant global du projet: 
577015
Contact: 
bruno.masenelli@insa-lyon.fr

THESIS

Tags: 
CELLULE PHOTOVOLTAÏQUE
Three terminal tandem HEterojunction on interdigitated back contacts SIlicon Solar cell
Coordinateur: 
CENTRALE SUPELEC
Responsable INSA: 
Erwann FOURMOND

 

Tandem solar cell with 3 contact

Enjeu: 
Environnement : Milieux naturels, Industriels et Urbains
Partenaires: 
CEA
INSA LYON - INL
EDF
Financement: 
ANR
Dates projet: 
2018-11-01 00:00:00 - 2022-04-01 00:00:00
Montant global du projet: 
667000

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