INSA Lyon

Les composants de puissance à grand gap, comme le nitrure de gallium, GaN, permettent des gains en rendement énergétique très significatifs, notamment dans le cadre des véhicules électriques. Toutefois, ces composants ont quelques problèmes de fiabilité et un des points faibles est la tenue en tension, encore assez mal maîtrisée aujourd'hui. Le projet vise à contribuer à l'amélioration de la fiabilité des convertisseurs de puissance en étudiant l'impact d'une surtension sur la fiabilité d'un composant GaN en utilisant un circuit de double source.

Ce projet a été financé par l’État dans le cadre de France 2030.

Visuel: 
Laboratoires: 
Dates projet: 
01/2023 - 01/2027
Financement: 
Contact: 
herve.morel@insa-lyon.fr
Coordinateur: 
VITESCO
Responsable INSA: 
Hervé MOREL
Sous-Titre: 
PoWer Electronics at Vitesco Technologies France
Montant global du projet: 
374986' €'
Chapo: 
Le projet a pour objectif de concevoir un banc de caractérisation dédié aux composants HEMT/GaN pour étudier l’impact des pics de tension sur la fiabilité.