INSA Lyon

Le projet a pour objectif de réaliser et d’étudier des mémoires embarquées basse consommation à base de films minces ferroélectriques d’oxyde de hafnium. Les dispositifs réalisés pourront être exploités comme mémoires embarquées basse consommation / faible coût ainsi que pour la réalisation d’architectures matérielles bio-inspirées à grande efficacité énergétique pour l’intelligence artificielle embarquée.

Ce projet a été financé par l’État dans le cadre de France 2030.

Visuel: 
Laboratoires: 
Dates projet: 
01/2023 - 01/2027
Financement: 
Contact: 
damien.deleruyelle@insa-lyon.fr
Coordinateur: 
ST MICROELECTRONICS
Responsable INSA: 
Damien DELERUYELLE
Sous-Titre: 
Embedded Ferroelectric Memories for low-cost NVM arrays and Edge- AI architectures
Montant global du projet: 
299944' €'
Chapo: 
Création de mémoires embarquées à faible consommation avec des matériaux ferroélectriques pour l'intelligence artificielle embarquée.