Soutenance de thèse : Christos GENNETIDIS

Etude theorique et expérimentale pour la formation des Centres Emetteurs G- et W- dans le silicium

Doctorant : Christos GENNETIDIS

Laboratoire INSA : MATEIS - Matériaux Ingénierie et Sciences

École doctorale n°34 : Matériaux de Lyon

Les centres émetteurs dans le silicium constituent des candidats prometteurs pour les technologies de télécommunication quantique. Leur fonctionnement repose sur la fabrication de défauts émetteurs de lumière tels que le complexe tri-interstitiel de Si, connu sous le nom de centre W, et le cluster C - Si - C, connu sous le nom de centre G. Dans cette thèse, les deux centres d'émission susmentionnés ont été étudiés à l'aide de simulations basées sur la théorie de la fonctionnelle de la densité, afin d'analyser leurs caractéristiques fondamentales telles que leurs propriétés structurales et leur émission optique à la raie de zéro phonon. Par la suite, leur processus de fabrication a été modélisé à l'aide de simulations de dynamique moléculaire. La technique expérimentale du faisceau d'ions focalisé ainsi que le processus de recuit ont été modélisés en utilisant différents paramètres issus des protocoles d'expérimentation, tels que le type d'ions du faisceau, l'énergie et la fluence. De nombreux protocoles de fabrication ont été étudiés afin de proposer différentes stratégies pour orienter le processus expérimental. Enfin, des expériences d'implantation utilisant un de faisceau d'ions focalisé suivi de recuits ont été réalisées et leurs résultats ont été comparés à ceux issus de la modélisation par dynamique moléculaire. Cette thèse de doctorat vise à comprendre les propriétés fondamentales des centres d'émission W et G dans le silicium ainsi que leurs processus de fabrication, afin d'informer et de guider les travaux expérimentaux.