Soutenance de thèse : Benoit MANCHON

Fabrication et Caractérisation de Jonctions Tunnel Ferroélectriques à base de Hf0.5Zr0.5O2 pour les Applications Neuromorphiques

Doctorant : Benoit MANCHON

Laboratoire INSA : INL
Ecole doctorale : EDA160 : Électronique, Électrotechnique, Automatique

Une conséquence de la séparation physique entre mémoire et calcul dans l’architecture de Von Neumann est le goulot d’étranglement de la mémoire. L’une des solutions consiste à s’inspirer du fonctionnement du cerveau dans lequel la mémoire (les synapses) est massivement intégrée au sein des unités de calcul (les neurones). Afin d’implémenter ce type d’architecture neuromorphique, il est nécessaire de développer des composants capables de reproduire les fonctions synaptiques. Les Jonctions Tunnel Ferroélectriques (FTJs) sont candidates au rôle de synapse artificielle grâce à leur capacité à moduler la quantité de courant qui les traverse en fonction de la direction de polarisation. La découverte de ferroélectricité dans l’oxyde d’hafnium dopé dès 2011, et plus tard dans le Hf0.5Zr0.5O2 (HZO), a permis de relancer la recherche sur les composants ferroélectriques en offrant une alternative aux pérovskites dont la température de cristallisation est limitante pour les procédés d’intégration industriels.
Dans ce travail, nous avons cherché à réaliser des FTJs à base de HZO pour la réalisation de synapses artificielles. Trois axes de recherche ont été définis : adapter un procédé préexistant de condensateurs ferroélectriques pour la fabrication de FTJ, développer un procédé pour intégrer les FTJs et réduire leurs dimensions, et mettre en place des protocoles de caractérisation et de programmation. Après avoir détaillé le contexte scientifique, les méthodes d’élaboration et de caractérisation sont présentées suivis des procédés de fabrication. Afin d’augmenter les courants tunnel des FTJs, nous avons cherché à réduire l’épaisseur de HZO sans dégrader ses propriétés ferroélectriques ; les solutions que nous avons exploré concernent l’insertion d ’une couche interfaciale, l’utilisation d’électrodes en tungstène et le dépôt par couches atomiques. Après avoir exposé l’étude des propriétés électrique des FTJ ainsi obtenues, nous présentons la caractérisation de l’imprint et de leur dynamique de retournement ainsi qu’un protocole de programmation multi- états.