Le marché civil des composants de puissance SiC (Carbure de Silicium) a connu une croissance exponentielle depuis les années 2010, grâce aux besoins de l'industrie automobile et solaire. L'offre industrielle est désormais mature pour les composants SiC 1200 V et 1700 V, qu'il s'agisse de diodes ou de MOSFET. Cependant, plus la tension de claquage augmente, plus l'offre sur le marché se raréfie. Cela s'explique par la taille réduite du marché et par les difficultés technologiques qui restent à résoudre. Cependant, le semi-conducteur SiC est probablement encore plus intéressant pour les tensions plus élevées (3,3 kV-10 kV) que les solutions Si (Silicium) et les solutions SiC. Il convient de noter que dans les classes de tension de claquage plus élevées, les dispositifs bipolaires tels que les GTO devraient être disponibles plus tôt que les MOSFET en raison de leurs capacités de courant et de tension plus élevées, et des problèmes de fiabilité moins complexes. Les dispositifs bipolaires seront donc utiles pour le marché civil, même s'ils sont considérés comme moins pratiques du point de vue des applications. L'une des applications les plus simples des thyristors SiC à haute tension est l'électronique de puissance pulsée. Dans cette optique, l'Institut Saint Louis (ISL) et le laboratoire Ampère ont étudié de manière approfondie le potentiel de la technologie SiC pour concevoir et fabriquer des thyristors efficaces capables de supporter des tensions et des courants élevés. Ces études ont permis de créer une grande quantité de connaissances et de savoir-faire presque unique dans le domaine, du moins en Europe.

Le projet CARTHAGE offre l'opportunité de transformer les concepts précédemment développés conjointement par l’ISL et Ampère en un produit semi-industriel utilisant un traitement stable, répétitif et contrôlé en ligne.