FRENCHDIAM cherche à exploiter les propriétés exceptionnelles du diamant, telles que sa tenue aux champs électriques importants, sa résistance à des températures élevées et sa conductivité thermique exceptionnelle. Le projet vise à démontrer la faisabilité de deux dispositifs avancés complémentaires en diamant : un transistor vertical haute tension et une cellule de commutation monolithique.

Ce projet ambitionne de développer des composants de puissance innovants en GaN. Le laboratoire Ampère sera un appui en termes de simulations et de caractérisations. Il s'agit d'étudier la fiabilité et la robustesse des transistors latéraux et verticaux GaN, en utilisant les méthodes de caractérisation avancées électriques (Surge, Court-circuit) et physiques (OBIC, Raman, DLTS) pour identifier et localiser les pièges permettant de renseigner des modèles de simulation (TCAD).

Ce projet a été financé par l’État dans le cadre de France 2030.