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CNRS - LAAS

C-PI-GAN

Soumis par Corinne Iafrate-Gran le mer, 10/02/2019 - 10:34
Combinaison de transistors GaN à architectures verticale et horizontale pour la conversion de puissance
Coordinateur: 
CNRS - LN2
Responsable INSA: 
Luong Viet PHUNG

 

Conception, développement et intégration des composants en Nitrure Gallium verticaux aux composants latéraux

Enjeu: 
Energie pour un développement Durable
Partenaires: 
INSA LYON - AMPERE
CNRS - CRHEA
CNRS - LAAS
SAINT GOBAIN
Financement: 
ANR
Dates projet: 
2019-06-01 00:00:00 - 2022-12-01 00:00:00
Montant global du projet: 
691000
Contact: 
luong-viet.phung@insa-lyon.fr

MOVETODIAM

Soumis par Corinne Iafrate-Gran le mer, 05/23/2018 - 10:21
Tags: 
COMPOSANT SEMICONDUCTEUR DE PUISSANCE
DIAMANT
MOSFET DE PUISSANCE VERTICAL TOUT DIAMANT
Coordinateur: 
CNRS - LAAS
Responsable INSA: 
Luong Viêt PHUNG (AMPERE)

 

Ce projet a pour vocation de développer puis fabriquer des composants de puissance semiconducteurs en diamant.

https://www.laas.fr/projects/MOVETODIAM/

Enjeu: 
Energie pour un développement Durable
Partenaires: 
IBS
INSA LYON - AMPERE
CNRS - GEMAC
CNRS - LAAS
Financement: 
ANR
Dates projet: 
2017-11-01 00:00:00 - 2021-11-01 00:00:00
Montant global du projet: 
140000
Contact: 
luong-viet.phung@insa-lyon.fr