Amid a global climate crisis, more frequent and intense heat waves alter people's quality of life and increase morbidity and mortality. Cities are particularly vulnerable to heat because they concentrate people, including many in situations of individual, social and/or environmental fragility, and because the urban fabric, structure, cover and metabolism alter the thermal environment, which generally exacerbates heat stress. Creating cities that sustainably and effectively address the challenge of overheating is thus of utmost importance.

The standardization of 5G by 3GPP is now well underway, with the release of releases 15 (2018) and 16 (2020). Release 17 is almost complete but has been delayed due to the pandemic and release 18 is in its very first phase. In this context, French R&D must remain involved and even become a major player for the continuation of 5G and the networks of the future (beyond 5G, 6G). The alliance of the Institut Mines-Télécom, CEA and CNRS within a research program will allow the acceleration of this strategy and will guarantee the national sovereignty in the digital domain.

Access to the Internet is regarded by many as a fundamental right as stated by the ‘Joint declaration on freedom of expression and the Internet’ published by the UN in 2011. Besides, communication networks and ICT in general are often presented as required means to reduce the environmental impact of various industry sectors (e.g. energy, transport, agriculture, etc.). On the other hand, the deployment of new generations of mobile broadband networks (e.g., 4G in 2010 and 5G in 2020) has been so far the common practice of increasing the communication resources of wireless access networks.

Le projet vise à étudier, par expériences et simulation, le bruit de photodétecteurs de type photodiode à avalanche à photon unique (SPAD) et de le corréler avec des mécanismes de dégradation et de vieillissement dépendants de l’architecture.

Ce projet a été financé par l’État dans le cadre de France 2030.

Le projet vise à développer une méthodologie de génération de Réseaux Neuronaux (NN) compacts pour les déployer sur des microcontrôleurs à faible puissance pour une utilisation dans des applications critiques (espace, automobile). La méthodologie se base sur des approches de recherche d'architecture des réseaux (NAS) afin d'identifier la meilleure architecture NN en termes de complexité (empreinte mémoire, effort de calcul) et de fiabilité.

Ce projet a été financé par l’État dans le cadre de France 2030.

Le projet a pour ambition la conception, la fabrication et la caractérisation de capteurs photoniques pour la perception augmentée dans le domaine de l'automobile autonome. Le projet vise à faire la preuve de concept d’une nouvelle gamme de capteurs photoniques en utilisant des nouveaux concepts de guides d’onde en photonique, en partie brevetés par l'INL.

Ce projet a été financé par l’État dans le cadre de France 2030.

Le projet a pour objectif de réaliser et d’étudier des mémoires embarquées basse consommation à base de films minces ferroélectriques d’oxyde de hafnium. Les dispositifs réalisés pourront être exploités comme mémoires embarquées basse consommation / faible coût ainsi que pour la réalisation d’architectures matérielles bio-inspirées à grande efficacité énergétique pour l’intelligence artificielle embarquée.

Ce projet a été financé par l’État dans le cadre de France 2030.

Les composants de puissance à grand gap, comme le nitrure de gallium, GaN, permettent des gains en rendement énergétique très significatifs, notamment dans le cadre des véhicules électriques. Toutefois, ces composants ont quelques problèmes de fiabilité et un des points faibles est la tenue en tension, encore assez mal maîtrisée aujourd'hui. Le projet vise à contribuer à l'amélioration de la fiabilité des convertisseurs de puissance en étudiant l'impact d'une surtension sur la fiabilité d'un composant GaN en utilisant un circuit de double source.

Ce projet ambitionne de développer des composants de puissance innovants en GaN. Le laboratoire Ampère sera un appui en termes de simulations et de caractérisations. Il s'agit d'étudier la fiabilité et la robustesse des transistors latéraux et verticaux GaN, en utilisant les méthodes de caractérisation avancées électriques (Surge, Court-circuit) et physiques (OBIC, Raman, DLTS) pour identifier et localiser les pièges permettant de renseigner des modèles de simulation (TCAD).

Ce projet a été financé par l’État dans le cadre de France 2030.

AMPERE, en collaboration avec Murata Integrated Passive Solutions, Le CEA LETI et la plateforme PRIMES vise à valider un gain en performances électriques de convertisseurs de puissance pris comme exemples pertinents du marché ouvert aux condensateurs sur silicium, haute tension, haute température. Un module de puissance à base de transistors MOSFET SiC 1.2kV démontrera l’intérêt de condensateurs embarqués pour réduire la signature électromagnétique du module, réduisant la taille des filtres.