Le projet a pour objectif de réaliser et d’étudier des mémoires embarquées basse consommation à base de films minces ferroélectriques d’oxyde de hafnium. Les dispositifs réalisés pourront être exploités comme mémoires embarquées basse consommation / faible coût ainsi que pour la réalisation d’architectures matérielles bio-inspirées à grande efficacité énergétique pour l’intelligence artificielle embarquée.
Ce projet a été financé par l’État dans le cadre de France 2030.
Visual:

INSA Challenge:
Laboratoires:
Dates - Duration:
01/2023 to 01/2027
Funding Institution:
Contact:
damien.deleruyelle@insa-lyon.fr
Project Leader:
ST MICROELECTRONICS
INSA’s scientific leader:
Damien DELERUYELLE
Subtitle:
Embedded Ferroelectric Memories for low-cost NVM arrays and Edge- AI architectures
Funding:
299944' €'
Chapo:
Création de mémoires embarquées à faible consommation avec des matériaux ferroélectriques pour l'intelligence artificielle embarquée.