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GaN

Gan4Reliability

Submitted by Anonyme (not verified) on Sat, 12/16/2023 - 17:17
Keywords: 
COMPOSANTS DE PUISSANCE
GaN
TRANSISTOR
Project Leader: 
ST MICROELECTRONICS

Ce projet ambitionne de développer des composants de puissance innovants en GaN. Le laboratoire Ampère sera un appui en termes de simulations et de caractérisations. Il s'agit d'étudier la fiabilité et la robustesse des transistors latéraux et verticaux GaN, en utilisant les méthodes de caractérisation avancées électriques (Surge, Court-circuit) et physiques (OBIC, Raman, DLTS) pour identifier et localiser les pièges permettant de renseigner des modèles de simulation (TCAD).

Ce projet a été financé par l’État dans le cadre de France 2030.

INSA Challenge: 
Energie pour un développement Durable
Funding Institution: 
FRANCE 2030
Dates - Duration: 
2023-01-01 00:00:00 to 2027-01-01 00:00:00
Funding: 
470000
Contact: 
Dominique PLANSON, Pierre BROSSELARD
Chapo: 
L’objectif est de montrer l’impact des défauts structurels au matériau sur la fiabilité des composants en GaN ainsi que de modéliser ces défauts sous TCAD afin d’avoir un retour sur la conception des composants, d’en tenir compte sur les prochaines générations de composants et de fixer des critères de sélection du matériau.

ELEGANT

Submitted by Anonyme (not verified) on Thu, 06/15/2023 - 15:33
Keywords: 
HIGH POWER ELECTRONICS
GaN
Epitaxie localisée pour transistor gan vertical
Project Leader: 
CEA
INSA’s scientific leader: 
Camille SONNEVILLE

ELEGaNT’s technical objectives are :  

INSA Challenge: 
Energie pour un développement Durable
Partners: 
CNRS
Funding Institution: 
ANR
Dates - Duration: 
2023-04-01 00:00:00 to 2026-03-01 00:00:00
Funding: 
648068
Contact: 
camille.sonneville@insa-lyon.fr
Chapo: 
L'objectif d'ELEGaNT est d'ouvrir la voie à la réalisation de dispositifs verticaux GaN sur Silicum rentables et performants avec une tension de claquage élevée