ICN2 FUNDACIO INSTITUT CATALA DE NANOCIENCIA I NANOTECNOLOGIA

GOPOWER

Keywords: 
HIGH POWER ELECTRONICS
ULTRA-WIDE-BANDGAP SEMICONDUCTOR
High power electronics accelerator with gallium oxide
Project Leader: 
CNRS
INSA’s scientific leader: 
Georges BREMOND

GOPOWER project concerns “Basic Science for Energy”. Ga2O3 ( Gallium oxide or Gallia) is an emerging ultra-wide bandgap semiconductor material for future high-power devices (beyond 6.5 kV) devoted to energy applications such as electric transportation and smart grids.

 

INSA Challenge: 
Energie pour un développement Durable
Partners: 
INL INSTITUT DES NANOTECHNOLOGIES DE LYON
INSP INSTITUT DES NANOSCIENCES DE PARIS
ICN2 FUNDACIO INSTITUT CATALA DE NANOCIENCIA I NANOTECNOLOGIA
GEMAC
SWANSEA UNIVERSITY
Funding Institution: 
ANR
Dates - Duration: 
2021-10-01 00:00:00 to 2025-04-01 00:00:00
Funding: 
467272
Contact: 
georges.bremond@insa-lyon.fr
Chapo: 
Le projet GOPOWER concerne les « Sciences fondamentales pour l'énergie ». L’oxyde de gallium ou gallia (Ga2O3) est un matériau semi-conducteur émergent à bande interdite ultra large pour les futurs dispositifs haute puissance (au-delà de 6,5 kV) dédiés aux applications énergétiques telles que le transport électrique et les réseaux intelligents.