TRANSISTOR SEMICONDUCTEUR GRAND GAP

SICAP

Keywords: 
COMMUTATION
CONDENSATEUR SILICIUM 3D
REDUCTION SIGNATURE ELECTROMAGNETIQUE
TRANSISTOR SEMICONDUCTEUR GRAND GAP
Silicon CAPacitors
Project Leader: 
MURATA
INSA’s scientific leader: 
Bruno ALLARD

AMPERE, en collaboration avec Murata Integrated Passive Solutions, Le CEA LETI et la plateforme PRIMES vise à valider un gain en performances électriques de convertisseurs de puissance pris comme exemples pertinents du marché ouvert aux condensateurs sur silicium, haute tension, haute température. Un module de puissance à base de transistors MOSFET SiC 1.2kV démontrera l’intérêt de condensateurs embarqués pour réduire la signature électromagnétique du module, réduisant la taille des filtres.

INSA Challenge: 
Energie pour un développement Durable
Funding Institution: 
FRANCE 2030
Dates - Duration: 
2023-01-01 00:00:00 to 2027-01-01 00:00:00
Funding: 
530000
Contact: 
bruno.allard@insa-lyon.fr
Chapo: 
Le projet vise à valider un gain en performances électriques au sein des convertisseurs de puissance pris comme exemples pertinents du marché ouvert aux condensateurs sur silicium, haute tension, haute température.