COMPOSANTS DE PUISSANCE

FrenchDiam

Keywords: 
COMPOSANTS DE PUISSANCE
DIAMANT
La filière française du diamant pour l’électronique de puissance
Project Leader: 
CNRS DR14 Occitanie-Ouest Toulou
INSA’s scientific leader: 
Luong-Viêt PHUNG

FRENCHDIAM seeks to exploit the exceptional properties of diamond, such as its resistance to high electric fields, its resistance to high temperatures and its outstanding thermal conductivity. The project aims to demonstrate the feasibility of two complementary advanced diamond devices: a high-voltage vertical transistor and a monolithic switching cell. Various technological steps required for a production chain will be developed, such as growth of large substrates, epitaxy of doped layers, structuring in clean rooms, peripheral protection and design of control electronics.

INSA Challenge: 
Energie pour un développement Durable
Partners: 
CEA
Funding Institution: 
PIA ANR
Dates - Duration: 
2024-05-01 00:00:00 to 2028-04-01 00:00:00
Funding: 
2100000
Contact: 
luong-viet.phung@insa-lyon.fr
Chapo: 
Unite national research efforts on diamond for power electronics, go beyond the state of the art and establish a roadmap for the industry

Gan4Reliability

Keywords: 
COMPOSANTS DE PUISSANCE
GaN
TRANSISTOR
Project Leader: 
ST MICROELECTRONICS

Ce projet ambitionne de développer des composants de puissance innovants en GaN. Le laboratoire Ampère sera un appui en termes de simulations et de caractérisations. Il s'agit d'étudier la fiabilité et la robustesse des transistors latéraux et verticaux GaN, en utilisant les méthodes de caractérisation avancées électriques (Surge, Court-circuit) et physiques (OBIC, Raman, DLTS) pour identifier et localiser les pièges permettant de renseigner des modèles de simulation (TCAD).

Ce projet a été financé par l’État dans le cadre de France 2030.

INSA Challenge: 
Energie pour un développement Durable
Funding Institution: 
FRANCE 2030
Dates - Duration: 
2023-01-01 00:00:00 to 2027-01-01 00:00:00
Funding: 
470000
Contact: 
Dominique PLANSON, Pierre BROSSELARD
Chapo: 
L’objectif est de montrer l’impact des défauts structurels au matériau sur la fiabilité des composants en GaN ainsi que de modéliser ces défauts sous TCAD afin d’avoir un retour sur la conception des composants, d’en tenir compte sur les prochaines générations de composants et de fixer des critères de sélection du matériau.