Enviado por Anonyme (no verificado) el Jue, 06/15/2023 - 15:33
Tags:
ELECTRONIQUE HAUTE PUISSANCE
GaN
Epitaxie localisée pour transistor gan vertical
Coordinateur:
CEA
Responsable INSA:
Camille SONNEVILLE
ELEGaNT’s technical objectives are :
Enjeu:
Energie pour un développement Durable
Partenaires:
CNRS
Financement:
ANR
Dates projet:
De 2023-04-01 00:00:00 hasta 2026-03-01 00:00:00
Montant global du projet:
648068
Contact:
camille.sonneville@insa-lyon.fr
Chapo:
L'objectif d'ELEGaNT est d'ouvrir la voie à la réalisation de dispositifs verticaux GaN sur Silicum rentables et performants avec une tension de claquage élevée
Enviado por Anonyme (no verificado) el Lun, 04/25/2022 - 17:24
Antenne pour IoT sur polymère biodégradable pour le stockage et la récupération d'énergie
Coordinateur:
AMPERE - INSA LYON
Responsable INSA:
Michel CABRERA
BioAntenna a pour objectif principal de proposer une solution de remplacement aux piles (ou batteries) utilisées dans les capteurs sans fil et plus largement l’Internet des Objets ou IoT (de l’anglais : Internet of Things). Dans la décennie à venir, il est prévu une omniprésence de ces objets (plusieurs milliards), qui pourrait notamment conduire à la consommation et à la dispersion massive de piles, polluantes et couteuses en ressources pour l’environnement.
Enviado por Anonyme (no verificado) el Vie, 09/24/2021 - 11:24
AUtonomous Self-plugging CARs with CARA and AuRA
Coordinateur:
GULPLUG
Responsable INSA:
Xavier BRUN
Pour un véhicule 100% autonome... en utilisation ET en recharge
L'objectif de ce projet est de réaliser un commutateur électrique afin de pouvoir recharger un véhicule électrique par des sources d'énergie différentes. Le dispositif détecte automatiquement la source connectée et oriente le flux de puissance vers le dispositif de charge. Ce projet associant GULPLUG, NAVYA et l’INSALyon via le laboratoire AMPERE a obtenu un financement public dans le cadre du dispositif « R&D Booster » de la Région Auvergne-Rhône-Alpes.
Enjeu:
Transport : Structures, Infrastructures et Mobilités
Enviado por Anonyme (no verificado) el Jue, 01/21/2021 - 16:39
Tags:
HIGH POWER COMPONENT
MICRO-RAMAN SPECTROSCOPY
Optical characterization of high power GaN components
Coordinateur:
INSA LYON - LABORATOIRE AMPERE
Responsable INSA:
Camille SONNEVILLE
Wide-Bandgap semiconductors such as silicon carbides (SiC) or Gallium Nitrides (GaN) are particularly interested in power electronic. Indeed Wide-bandgap semiconductors permit devices to operate at much higher voltages, frequencies and temperatures than conventional semiconductor materials like silicon. They will be a foundational technology in new electrical grid and alternative energy devices.
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