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ELECTRONIQUE HAUTE PUISSANCE

ELEGANT

Enviado por Anonyme (no verificado) el Jue, 06/15/2023 - 15:33
Tags: 
ELECTRONIQUE HAUTE PUISSANCE
GaN
Epitaxie localisée pour transistor gan vertical
Coordinateur: 
CEA
Responsable INSA: 
Camille SONNEVILLE

ELEGaNT’s technical objectives are :  

Enjeu: 
Energie pour un développement Durable
Partenaires: 
CNRS
Financement: 
ANR
Dates projet: 
De 2023-04-01 00:00:00 hasta 2026-03-01 00:00:00
Montant global du projet: 
648068
Contact: 
camille.sonneville@insa-lyon.fr
Chapo: 
L'objectif d'ELEGaNT est d'ouvrir la voie à la réalisation de dispositifs verticaux GaN sur Silicum rentables et performants avec une tension de claquage élevée

GOPOWER

Enviado por Anonyme (no verificado) el Lun, 06/27/2022 - 18:21
Tags: 
ELECTRONIQUE HAUTE PUISSANCE
SEMI-CONDUCTEUR A BANDE INTERDITE ULTRA LARGE
High power electronics accelerator with gallium oxide
Coordinateur: 
CNRS
Responsable INSA: 
Georges BREMOND

GOPOWER project concerns “Basic Science for Energy”. Ga2O3 ( Gallium oxide or Gallia) is an emerging ultra-wide bandgap semiconductor material for future high-power devices (beyond 6.5 kV) devoted to energy applications such as electric transportation and smart grids.

 

Enjeu: 
Energie pour un développement Durable
Partenaires: 
INL INSTITUT DES NANOTECHNOLOGIES DE LYON
INSP INSTITUT DES NANOSCIENCES DE PARIS
ICN2 FUNDACIO INSTITUT CATALA DE NANOCIENCIA I NANOTECNOLOGIA
GEMAC
SWANSEA UNIVERSITY
Financement: 
ANR
Dates projet: 
De 2021-10-01 00:00:00 hasta 2025-04-01 00:00:00
Montant global du projet: 
467272
Contact: 
georges.bremond@insa-lyon.fr
Chapo: 
Le projet GOPOWER concerne les « Sciences fondamentales pour l'énergie ». L’oxyde de gallium ou gallia (Ga2O3) est un matériau semi-conducteur émergent à bande interdite ultra large pour les futurs dispositifs haute puissance (au-delà de 6,5 kV) dédiés aux applications énergétiques telles que le transport électrique et les réseaux intelligents.