Enviado por Anonyme (no verificado) el Lun, 01/13/2025 - 11:07
Tags:
ELECTRONIQUE DE PUISSANCE
SEMI-CONDUCTEURS A LARGE BANDE INTERDITE
CHARacterization of Wide band gap Power Devices
Coordinateur:
INSA Lyon
Responsable INSA:
Camille SONNEVILLE
The energy transition will require power electrical devices able to manage high voltages and high currents. Although today’s electronic converter’s market is dominated by silicon-based technology, these electronic devices have elevated intrinsic losses due to silicon physical limited properties. Thanks to their physical properties Wide-Band-Gap (WBG) semiconductors such as silicon carbides (SiC) or Gallium Nitride (GaN) or even Ultra Wide-Band Gap (UWBG) semiconductor such as diamond, Ga2O3 or AlN are particularly interesting for power electronic.
Enjeu:
Energie pour un développement Durable
Financement:
ANR
Dates projet:
De 2024-10-01 00:00:00 hasta 2028-06-01 00:00:00
Montant global du projet:
253848
Contact:
camille.sonneville@insa-lyon.fr
Chapo:
Wide-band-gap and ultra-wide-band-gap semiconductors for power electronics: what role do defects play in electrical performance?
Enviado por Anonyme (no verificado) el Jue, 06/15/2023 - 15:33
Tags:
ELECTRONIQUE HAUTE PUISSANCE
GaN
Epitaxie localisée pour transistor gan vertical
Coordinateur:
CEA
Responsable INSA:
Camille SONNEVILLE
ELEGaNT’s technical objectives are :
Enjeu:
Energie pour un développement Durable
Partenaires:
CNRS
Financement:
ANR
Dates projet:
De 2023-04-01 00:00:00 hasta 2026-03-01 00:00:00
Montant global du projet:
648068
Contact:
camille.sonneville@insa-lyon.fr
Chapo:
L'objectif d'ELEGaNT est d'ouvrir la voie à la réalisation de dispositifs verticaux GaN sur Silicum rentables et performants avec une tension de claquage élevée
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