FRENCHDIAM seeks to exploit the exceptional properties of diamond, such as its resistance to high electric fields, its resistance to high temperatures and its outstanding thermal conductivity. The project aims to demonstrate the feasibility of two complementary advanced diamond devices: a high-voltage vertical transistor and a monolithic switching cell. Various technological steps required for a production chain will be developed, such as growth of large substrates, epitaxy of doped layers, structuring in clean rooms, peripheral protection and design of control electronics.

Ce projet ambitionne de développer des composants de puissance innovants en GaN. Le laboratoire Ampère sera un appui en termes de simulations et de caractérisations. Il s'agit d'étudier la fiabilité et la robustesse des transistors latéraux et verticaux GaN, en utilisant les méthodes de caractérisation avancées électriques (Surge, Court-circuit) et physiques (OBIC, Raman, DLTS) pour identifier et localiser les pièges permettant de renseigner des modèles de simulation (TCAD).

Ce projet a été financé par l’État dans le cadre de France 2030.