Ce projet ambitionne de développer des composants de puissance innovants en GaN. Le laboratoire Ampère sera un appui en termes de simulations et de caractérisations. Il s'agit d'étudier la fiabilité et la robustesse des transistors latéraux et verticaux GaN, en utilisant les méthodes de caractérisation avancées électriques (Surge, Court-circuit) et physiques (OBIC, Raman, DLTS) pour identifier et localiser les pièges permettant de renseigner des modèles de simulation (TCAD).
Ce projet a été financé par l’État dans le cadre de France 2030.
Visuel:
Laboratoires:
Dates projet:
De 01/2023 hasta 01/2027
Financement:
Contact:
Dominique PLANSON, Pierre BROSSELARD
Coordinateur:
ST MICROELECTRONICS
Montant global du projet:
470000' €'
Chapo:
L’objectif est de montrer l’impact des défauts structurels au matériau sur la fiabilité des composants en GaN ainsi que de modéliser ces défauts sous TCAD afin d’avoir un retour sur la conception des composants, d’en tenir compte sur les prochaines générations de composants et de fixer des critères de sélection du matériau.
Français