Enviado por Hakim Ferria el Sáb, 12/16/2023 - 17:44
Tags:
FERROELECTRIC MEMORY
NEUROMORPHIC COMPUTING
Embedded Ferroelectric Memories for low-cost NVM arrays and Edge- AI architectures
Coordinateur:
ST MICROELECTRONICS
Responsable INSA:
Damien DELERUYELLE
Le projet a pour objectif de réaliser et d’étudier des mémoires embarquées basse consommation à base de films minces ferroélectriques d’oxyde de hafnium. Les dispositifs réalisés pourront être exploités comme mémoires embarquées basse consommation / faible coût ainsi que pour la réalisation d’architectures matérielles bio-inspirées à grande efficacité énergétique pour l’intelligence artificielle embarquée.
Ce projet a été financé par l’État dans le cadre de France 2030.
Enjeu:
Information et Société Numérique
Financement:
FRANCE 2030
Dates projet:
De 2023-01-01 00:00:00 hasta 2027-01-01 00:00:00
Montant global du projet:
299944
Contact:
damien.deleruyelle@insa-lyon.fr
Chapo:
Création de mémoires embarquées à faible consommation avec des matériaux ferroélectriques pour l'intelligence artificielle embarquée.