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09 mai
09/05/2018 14:00

Sciences & Société

Soutenance de thèse : Marina LABALETTE

Intégration 3D de mémoires résistives complémentaires dans le back-end-of-line du CMOS

Soutenance en cotutelle internationale entre l’Université de Sherbrooke et l’INSA Lyon

Doctorante : Marina LABALETTE

Laboratoire INSA :  INL
Ecole doctorale : ED160 E.E.A

À l’aube du 21e siècle, l’information est devenue le pétrole de notre ère digitale.
La gestion, la manipulation et le stockage de données sont de réels challenges. Pour supporter cette réalité, le besoin de technologies mémoires plus efficaces, moins énergivores, moins coûteuses à fabriquer et plus denses que les technologies actuelles s’intensifient. Parmi les technologies mémoires émergentes se trouve la technologie mémoire résistive, dans laquelle l’information est stockée sous forme de résistance électrique au sein d’une couche d’oxyde entre deux électrodes conductrices. Mes travaux de recherche ont consisté à étudier des dispositifs mémoires résistives aux dimensions avoisinant les centaines de nm² et fabriqués de façon originale par rapport au procédé d’empilement classique de matériaux. J’ai conduit mes recherches selon deux axes principaux : d’une part j’ai fabriqué et interconnecté ces dispositifs mémoires sur des substrats industriels pour prouver la compatibilité du procédé avec les requis des filières de production et étudier en détails les performances des dispositifs. D’autre part j’ai apporté la preuve de concept de la fabrication de dispositifs mémoires résistives complémentaires (dits CRS), consistant en deux dispositifs mémoires résistives accolés, en utilisant le même procédé de fabrication original. Ces dispositifs complémentaires constituent une solution performante (peu coûteuse et très dense) aux problèmes de courants de fuite qui freinent jusqu’à présent le développement de matrices mémoires hautes densités.